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低温烧结的温度稳定型多层陶瓷电容器介质材料
日期:2013-04-03
    专利名称: 低温烧结的温度稳定型多层陶瓷电容器介质材料 
    公开(告)号: CN1837145 
    申请(专利)号: 200610011784.3 
    发明(设计)人: 王晓慧;马 超;李龙土;桂治轮 
    (申请)专利权(人): 清华大学 
    内容:(摘要)本发明涉及一种低温烧结的温度稳定型多层陶瓷电容器介质材料,属于电容器材料技术领域。所述介质材料由钛酸钡主料和二次添加剂组成,包括Nb2O5、Co3O4、或它们的固溶物、 ZnO、B2O3、或它们的化合物、稀土元素和钇中一种或一种以上的氧化物。在880℃到950℃ 范围内烧结,晶粒尺寸为100~600nm,室温介电常数1000~2500,容温变化率≤±15%,室温介电损耗小于2%,绝缘电阻率大于1011Ω·cm,满足X7R及X8R性能要求。当烧结温度低于 900℃时,使用纯银作为MLCC的内电极,可大幅度降低多层陶瓷电容器的成本。该材料适用于薄层、纯银内电极多层陶瓷片式电容器的制造,具有广阔的发展前景。 
    主权项:低温烧结的温度稳定型多层陶瓷电容器介质材料,其特征在于:所述介质材料由钛酸钡BaTiO3主料和二次添加剂组成;所述二次添加剂包括Nb2O5、Co3O4、或它们的固溶物, ZnO、B2O3、或它们的固溶物,稀土元素La、Ce、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Yb和 Y中一种或一种以上的氧化物;所述各材料的摩尔配比为: [100-(a+b+c+d+f+g+h)]BaTiO3+aNb2O5+bCo3O4+c(Nb2O5)x·(Co3O4)1-x+dRe2O3.+f ZnO+gB2O3+h(ZnO)y·(B2O3)1-y,其中Re代表钇和稀土元素,Re2O3代表氧化钇和稀土元素的氧化物,其中0.0≤a≤3.0,0.0≤b≤1.5,0.0≤c≤1.2,1.0≤a+b+c≤5.0,0.1≤x≤0.9, 0.1≤d≤1.2,0.0≤e≤3.0,0.0≤f≤1.5,0.0≤g≤1.2,0.0≤h≤10.0,0≤f+g+h≤10.0,0.1≤ y≤0.9。
上一条:具有微细凹凸纹理的陶瓷砖的制造工艺
下一条:建造还原铁矿的流化床还原炉内结构的耐火组合物
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